MCC法合成氨总反应是高度放热的，湖南和电其每千克反应物的总焓变高达-2964.52kJ。

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金刚石MOSFET与结构示意图金刚石MOSFET是研究最广泛的金刚石晶体管，造业展其采用MOS栅控制结构可抑制栅极的泄漏电流。但硼室温下激活效率小于0.1%，湖南和电而且硼在金刚石中的掺杂浓度和迁移率是此消彼长的关系，湖南和电过大的掺杂浓度往往导致迁移率的迅速下降，电导率达到1Ω/cm需要硼掺杂浓度达到1019 cm-3时，但此时迁移率将降低到100cm2/Vs以下[4]。